SK海力士韩国工厂 【图片提供 海力士】
全球内存芯片市场正在经历漫长“寒冬”，已连续两个季度创下历史最糟糕业绩的SK海力士面临中美霸权之争等地缘政治风险。美国对华出口管制层层加码，在中国无锡和大连分别建有DRAM和NAND闪存生产基地的SK海力士频频传出“撤资”、“推迟竣工”等消息，令业内人心惶惶。
本月5日，集邦咨询发布的研究报告称，SK海力士准备将位于中国的生产线从第二代10纳米级（1y）升级至第三代（1z），但在美国对中国获取先进芯片设备和技术实施新一轮限制后，SK海力士或将保守选择扩大传统21纳米级产能，专注于生产用于电脑及服务器的DDR3和DDR4规格DRAM芯片，但SK对此进行了否认。
目前SK海力士在服务器领域最尖端的DDR5内存芯片上拥有绝对优势，SK海力士预计今年DDR5大容量模块将同比实现六倍增长，HBM也将实现50%的增长。
业界称，DDR3目前在全球DRAM内存市场中所占份额不足10%，在多家供货商减产的情况下，SK海力士增加无锡工厂21纳米级产能可能性较小。DDR3主要用于机顶盒、路由器等无需高性能芯片的产品中。
SK海力士目前在无锡建有10纳米至20纳米级DRAM生产线，在大连建有96层及144层NAND闪存生产线。无锡工厂生产的DRAM占SK海力士总产量的48%，是位于海外的最大制作基地。
另据《南华早报》日前报道，在美国对华设备出口限制加码下，SK海力士考虑出售从英特尔大连工厂收购的NAND闪存生产线。SK海力士对此进行辟谣，称大连第二工厂建设将按计划完成。业业内认为，SK海力士之所以进行明确否认，或是已经获得美方延长豁免期的批准。
2020年，SK海力士斥资90亿美元收购英特尔NAND闪存业务。去年5月，大连第二工厂举行开工仪式，计划今年3、4月左右竣工开始量产3D NAND闪存，但在美国对华出口限制下，将无法按原计划竣工。业内人士指出，新工厂需要引进大批进口设备，尽管目前美国政府给韩企在华设备进口暂时开了“绿灯”，但长期受限制的趋势已不可避免，风险加大的情况下，SK海力士很难再继续进行大规模投资。
美国对三星电子及SK海力士的一年豁免期将于今年10月结束，但最近传出美国政府或对在华韩企另行采取运入设备标准的消息，原定一年的豁免期预计将延长“相当长的一段时间”，在华业务不确定性有所降低，预计韩国半导体大厂将暂时获得喘息。
SK海力士位于无锡的DRAM第二工厂效果图。【图片提供 SK海力士】
