三星电子核心技术泄露至中国损失难估 警方拟发国际通缉令拘捕嫌疑人

负责调查韩国半导体技术泄露至中国一案的警方日前对某半导体生产企业前高管等30多人正式立案，调查范围进一步扩大。警方考虑向国际刑警组织要求对滞留海外的嫌疑人进行通缉。相关业界认为，由于半导体技术事关国家竞争力，一旦外流损失规模难以估算，应对此展开强有力的调查和处罚。

据首尔警察厅消息，日前以涉嫌违反《产业技术法》《防不正当竞争法》、渎职等嫌疑，拘留曾供职于三星电子、SK海力士半导体部门的前高管崔某，以及三星电子前首席研究员吴某并移交至检方。

警方目前对曾任职于崔某在中国成立的成都高真科技有限公司（CHJS）工作的30多名人员展开调查。其中大部分人员均有在韩国半导体企业工作经历，后为将技术窃取“跳槽”至成都高真科技，警方将调查崔某聘用过程中是否存在人力非法流失等问题。

据警方透露，成都高真科技工厂在警方调查后已中止运转，但任职于成都高真科技的半导体专业人员仍在继续申请半导体技术专利。据《东亚日报》确认，从2022年5月起的两年间，成都高真科技20多名研究员向中国国务院下属的国家知识产权局申请180多项发明专利，其中包括部分DRAM专利。一名研究员今年6月申请“半导体结构制造方法及半导体材料制造方法”专利，为DRAM小型化所需专利。

警方判断此次事件与之前韩国个别工程师跳槽泄露技术至海外性质不同，是韩国半导体企业原高管直接与中国地方政府进行合作，试图用韩国的技术在中国生产半导体，上升到动摇国家经济安全根基的高度。

据悉，崔某从三星电子辞职后，于2020年9月左右从成都市获得约4600亿韩元（约合人民币24.4亿元）的投资，成立成都高真科技有限公司。崔某除引进吴某等韩国人力外，还将三星电子斥资4.3万亿韩元（约合人民币228.5亿元）开发的20纳米级DRAM半导体技术相关工艺700多项转移至中国使用。2021年12月左右，崔某在中国建成半导体DRAM生产线后，于2022年4月左右成功生产试制品。通常在无原创技术的情况下开发下一代DRAM半导体，至少需要5天的时间。

警方启动调查后，成都高真科技的韩籍技术人员进入“长期休假”状态，实际上被解雇。原本承诺的子女教育费、住房补贴等各项支援也被撤回。

三星电子和SK海力士等韩国半导体龙头企业对技术接连泄露至中国表示担忧，尤其是大部分技术通过熟人或同事等所谓的“人脉”泄露，很难在根源上进行防止，因此强有力的处罚是最佳预防措施。