据半导体行业14日消息，三星电子在其第三季度业绩发布会上表示，“中国存储企业的传统产品供应增加对业绩产生了影响”。
近年来，中国传统存储市场中，长鑫存储（CXMT）和长江存储（YMTC）展现出强劲增长势头。长鑫存储自2016年成立以来，在中国政府的支持下迅速崛起。据野村证券报告称，长鑫存储的月产DRAM能力已从2023年底的12万片增长至2024年第一季度的16万片，预计到2024年底将达到20万片，占全球DRAM产量的约11%。
技术进步也是中国企业崛起的重要推动力。长鑫存储主要生产17纳米和18纳米的DDR4及LPDDR4产品，近期更是启动了18.5纳米工艺的DRAM生产，并据传已开始研发高带宽内存（HBM）。此外，长江存储宣布成功量产232层QLC 3D NAND，与三星电子的技术差距缩小至约两年。长江存储通过自主研发的Xtacking 3.0技术，成功提升了产品性能和生产良率。
面对美国的出口限制，长江存储开始与韩国、日本和中国台湾的设备供应商展开合作。专业研究咨询机构“零点研究”（Horizon Research）的数据显示，2023年中国在全球存储半导体市场的占比达到17.67%。特别是长鑫存储，若其产能扩增计划如期推进，预计其在全球DRAM市场的份额将有望提升至15%。
分析人士指出，中国企业的快速增长与政府支持密不可分。伴随中美贸易摩擦和技术霸权竞争的加剧，中国将提升半导体自给率视为国家战略任务，通过“国家大基金”等项目对半导体行业进行大规模投资与政策扶持。因此，凭借政府支持，中国企业迅速崛起，使得中低端市场竞争日益激烈，并对三星电子的业绩产生负面影响。部分中国企业甚至进军HBM领域，使得三星电子对中国企业的中长期挑战倍感压力。
为应对市场变化，三星电子正致力于技术创新。三星电子DS部门负责人全永铉在业绩发布会后表示，公司将“恢复核心技术竞争力”，意在通过在先进产品领域的技术提升稳固市场地位。三星电子正加速从传统产品向新一代产品的转型，计划扩大1b DRAM（第五代10纳米级）产量，预计到年底实现月产10万片。
在高带宽内存领域，尽管三星电子面临挑战，但其竞争对手SK海力士已向英伟达供应HBM3E，给三星带来了较大压力。半导体行业人士分析，三星电子在业绩发布会上提及中国企业，既是为业绩波动提供解释，也是希望通过此举呼吁韩国政府加强政策支持，以应对中国企业的快速崛起。
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