三星电子公开新一代内存解决方案 引领AI时代发展

当地时间26日，三星电子在美国加利福尼亚州硅谷公开引领人工智能（AI）时代的新一代存储芯片解决方案。

当天，在硅谷举行的全球半导体学会MemCon 2024上，三星电子通过主题演讲展示CXL（Compute Express Link）技术基础的存储器与高性能高容量的高带宽存储器（HBM），并在演讲中强调，CXL技术在内存容量方面、HBM在带宽方面正在引领行业革新。

CXL是一种连接中央处理器（CPU）、图形处理器（GPU）和存储半导体的技术，可以提高数据处理速度和容量，因此作为下一代内存技术在数据处理大幅增加的生成型AI中备受关注。

三星电子美洲存储芯片研究所所长崔振赫（音）表示，CXL可以有效管理内存，提高系统安全性，三星电子计划通过多种以CXL技术为基础的解决方案，大幅提高内存容量和带宽。三星电子在会上大举展示诸如CMM-D（DRAM）、混合使用NAND和DRAM的CMM-H和内存集成解决方案CMM-B的CXL技术基础解决方案。

此外，三星电子还着重强调HBM解决方案。HBM是通过垂直堆叠多个DRAM来显著提高数据处理速度的高性能存储器，在生成型AI的驱动上备受关注。

三星电子DRAM开发室长黄尚俊（音）表示，继正在批量生产中的第三代（HBM2E）和第四代（HBM3）之后，计划在上半年批量生产以12层堆叠第五代HBM和32Gb为基础的128GB DDR5产品，继续引领AI时代的高性能高容量存储器。

三星电子计划在第六代HBM堆叠内存的最底层应用缓冲晶片（Buffer Die），继续推动AI时代存储半导体的创新。MemCon从去年起每年举办，旨在深入探讨AI相关存储芯片解决方案，今年有三星电子、SK海力士、微软（MS）、英伟达（NVIDIA）、Meta、AMD等企业参加。