据芯片业界与产业通商资源部（以下简称产业部）消息，美国商务部工业安全局（BIS）宣布将对中国出口高性能人工智能（AI）和超级计算机芯片制造、生产设备等实施新限制，本月21日起正式生效。新政规定美国芯片制造商必须获得美国商务部批准才能对华出口半导体和芯片制造设备。此外，还规定美国供应商在向生产18纳米或以下的DRAM芯片、128层或以上的NAND闪存芯片、14纳米或以下的逻辑芯片的中国企业出口设备时，必须进行逐案审查。
此次是美方首次并非针对特定企业，而是对半导体整体技术进行全面制裁，意在全方位打压阻止中国“半导体崛起”。专家认为如果这些措施得到有效落实，美国企业以及使用美国技术的外国企业将无法在中国进行投资和设备升级，中国芯片制造水平或倒退至多年前。
美国商务部公布新政之后，中国台湾经济部门第一时间表示，将遵守各项管制措施。韩国产业部日前对此表示，美国新政对韩国产业界的影响有限，在新政出台前已与美国事前进行沟通。目前三星电子在西安和苏州分别建有NAND闪存工厂和半导体组装测试工厂，SK海力士则在无锡和大连分别建有DRAM和NAND闪存工厂，在重庆建有封装测试工厂。SK海力士25%的NAND晶圆产能和三星电子38%的NAND晶圆产能来自中国，SK海力士约一半的DRAM生产位于中国。
据消息人士透露，美方此次在制定政策时充分考虑韩方顾虑，承诺不会“误伤”非中国本土企业。与美国企业不同，在华韩企被列入逐案审查对象，不会对尖端技术研发造成影响，在中国工厂中的设备和零部件升级符合条件时也有可能被“放行”。在事前协商过程中，美国政府向韩方承诺将保障必要设备的稳定供应。
但这无法完全消除业界的担忧，由于逐案审查标准相对模糊，美国仍未向韩企将设备运往中国工厂开出明确的绿灯。
各大企业为将美国新政对韩国产业界的影响降至最低正在进行多方努力。三星电子负责人表示，三星将竭尽全力保障在华生产基地的正常运转，为此将与政府保持紧密沟通。SK海力士也表示，将全力准备所需材料文件，按照规定流程获得美方批准。
部分意见认为，从长期来看，美国此次新政的出台或成为韩国拉大与中国半导体水平差距的机会。韩国进出口银行此前发布的报告显示，三星电子和SK海力士主力产品DRAM技术领先中国5年，NAND闪存与中国的差距缩小至两年。中国芯片制造商长江存储和长鑫存储将成为此次美国新政的主要打击对象，这将为韩国企业在技术竞争中争取时间，扩大与中国的差距。
SK海力士芯片生产车间。【图片提供 韩联社】
