彭博社：美国拟出台新政限制三星及SK对华出口HBM芯片

当地时间31日，彭博社援引匿名人士的消息称，美国最快可能将于下月底出台限制对华出口半导体新政，包括阻止美光、三星电子、SK海力士等向中国企业供应高带宽内存（HBM）芯片等内容。

管制对象将包括HBM3、HBM3E，以及HBM2以上的先进人工智能（AI）AI内存芯片以及制造设备。HBM芯片是将多个DRAM芯片层层堆叠，实现大容量、高带宽存储，满足高性能计算、AI领域对内存芯片的严苛要求。目前美光、三星电子和SK海力士主导全球HBM市场，由于中方从去年起禁止美光内存芯片进入关键基础设施，美光基本上不会受到新政影响。

知情人士透露尚无法确定美方将以何种形式对韩企对华出口采取限制，有可能适用外国直接产品规则（FDPR）。FDPR是美国出口管制法律对外国产品实施“长臂管辖”的重要制度，即使是美国境外生产的产品若使用美国管制的软件或技术也将受到出口制裁。

三星电子和SK海力士依赖楷登电子（Cadence Design Systems）、应用材料（Applied Materials）等美国芯片设计软件及设备生产公司。三星电子目前向英伟达供应HBM3用于AI芯片H20，这款芯片遵守美国出口管制规定专为中国市场定制。

彭博社称，新的管制措施可能将包括对120家以上中国企业的制裁，以及对日本、荷兰、韩国等主要盟国的豁免。

据悉，美方此次对HBM芯片的新管制，旨在阻止中国内存芯片制造商长鑫存储开发HBM芯片，长鑫存储目前具备生产HBM2的能力，并于2016年首次投入商业使用。

截至目前，三星电子和SK海力士未回应彭博社的置评请求。