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有分析称，明年半导体企业的高带宽存储器（HBM）生产力（Capacity）将提高2倍以上。三星电子、SK海力士、美光有望扩大工厂产能。
据中国台湾《工商时报》12日报道，SK海力士、三星、美光三巨头的大力推动下，预计2025年HBM新增产量将达到27.6万个单位，使得年度总产量增至54万个单位，也就是说年增长率将达到105%，实现产能翻倍。
随着HBM市场的不断扩大和需求的增加，存储龙头打响扩产激战。HBM市场居首位的SK海力士于4月宣布，为应对用于AI的半导体需求剧增，决定扩充 AI 基础设施（Infra）的核心产品即HBM 等新一代 DRAM 的生产能力，将忠北清州的新工厂“M15X”定为新的DRAM生产基地。
近日，三星电子表示，计划在年内将HBM生产力提高至前年的2.9倍，并在明年将HBM的供应量扩大至今年的两倍以上。美光将与日本政府合作，在广岛建设HBM工厂，同时与马来西亚政府进行交涉，计划在当地建设首家HBM生产工厂。随着HBM成为行业热点，各大企业积极调整生产策略，加大投入，提升DRAM及HBM的产量，力求在AI市场的浪潮中占据更有利的位置。
市场调研机构集邦咨询（TrendForce）在最新报告中预测，DRAM市场的HBM销售比重将从去年的8.4%增加至今年的20.1%，今年HBM市场规模将比去年（6万亿韩元，约合人民币317亿元）增加4倍，达到24万亿韩元。全球HBM市场占有率依次为SK海力士53%、三星电子38%、美光9%。
三星电子得益于HBM的增长势头，今年第二季度营业利润达10万亿韩元。美光销售额也超过市场预测值，达到68.1亿美元。SK海力士第二季度营业利润预计达到6万亿韩元，业绩喜人。
韩国投资证券研究员蔡敏淑（音）分析称，近期，HBM供不应求，订单动能转热。考虑到AI芯片角逐刚刚开始，HBM需求将进一步增长。业界相关人士表示：“全球半导体企业加强尖端芯片生产，以应对日益增长且多样化的存储需求。”
