当地时间3日，SK海力士与印第安纳州、普渡大学、美国政府相关人士在位于西拉斐特的普渡大学举办投资签约仪式，并发表上述计划。SK海力士在海外建设人工智能（AI）半导体核心HBM的生产工厂尚属首次。
SK海力士方面表示，印第安纳州工厂预计在2028年下半年开始量产新一代HBM等AI存储芯片产品，以此率先构建全球AI半导体供应链，同时通过在印第安纳州建设的生产基地和R&D设施，在当地创造1000个以上工作岗位。
去年AI时代开启以来，HBM等超高性能存储器需求剧增，半导体先进封装也愈发重要。SK海力士在AI存储器市场掌握主权后，为加强技术竞争力而考虑在美国投资先进后端工艺领域。AI领域的大型科技企业聚集在美国，也在积极推进先进后端工艺方面的技术研究。
SK海力士经过评估多处候选地点，最终选择印第安纳州为投资地。印第安纳州政府积极推进招商引资，并且该地区拥有丰富的半导体生产所需基础设施，以半导体先进研究而闻名的普渡大学也对选址产生积极影响。
印第安纳州州长埃里克·霍尔科姆（Eric Holcomb）在投资签约仪式上强调：“印第安纳州正在成为未来经济动力的创新产品全球领导者。我坚信与SK海力士的合作可以促进印第安纳州和普渡大学的地区长期发展。”
印第安纳州参议员托德·杨（Todd Young）向SK海力士致以感谢：“SK海力士即将在美国成为一个知名企业。美国政府的芯片法案为印第安纳州提供发展契机，SK海力士则与我们协力构建尖端技术的未来。”
普渡大学校长蒋濛（Mung Chiang）说：“SK海力士是AI存储器领域的全球开拓者，也是市场主导者。此次投资显示出印第安纳州和普渡大学在先进半导体领域的竞争力，是美国完善数字化供应链的里程碑事件。”
SK海力士社长郭鲁正感谢印第安纳州和普渡大学的支持：“非常高兴能够成为半导体业界首次在美国建设先进封装生产设施的企业。SK海力士计划通过此次投资，来应对日益增长的客户需求和期待，提供量身定制的存储产品。”
SK海力士与印第安纳州建立地区社会发展伙伴关系的同时，还计划为普渡研究财团、地区非营利组织和慈善组织的活动提供支持。
与此同时，SK海力士还在顺利推进韩国国内投资项目，投资120万亿韩元（约合人民币6455.43亿元）建设的龙仁半导体园区目前正在进行地基建造工程。SK海力士计划在明年3月开工建造第一座工厂，并于2027年初完工，此外为加强材料、零部件、设备生态系统的构建，300毫米晶圆工艺设备研究设施的建造工程也在推进当中。
当地时间3日，在美国印第安纳州西拉斐特普渡大学举行的SK海力士投资发表活动上，驻美韩国大使赵贤东正在发表贺词。【图片来源 韩联社】
