路透社：三星电子8层HBM3E芯片通过英伟达测试

据路透社当地时间7日援引三位知情人士的消息称，三星电子第5代高带宽内存（HBM）芯片HBM3E（8层）日前通过英伟达的性能测试。

消息人士透露，三星电子和英伟达即将签订供货合同，预计从第4季度起开始供货，但12层版本的HBM3E芯片测试仍在进行中，目前英伟达和三星电子对路透社的置评请求尚未作出回应。

上月24日，路透社报道称，三星专为中国市场设计生产的HBM3芯片通过英伟达测试。目前SK海力士向英伟达独家供应HBM芯片，三星电子为了在人工智能（AI）半导体中巩固主导地位，迫切需要向英伟达供货。