1983年2月，时任三星会长的李秉喆发表“东京宣言”，决定投资尖端芯片业务，并宣布建设存储芯片工厂。李秉哲当时表示，将基于韩民族特有的强韧精神和创造力为基础来推进芯片业务。因日本企业牵制和缺乏技术，三星电子一度困难重重。1992年企业率先在全球研发出64兆位DRAM芯片后，跻身全球存储芯片佼佼者行列。而从“东京宣言”至进入行业领先地位，三星电子大约用了10多年的时间。
当前，受全球通货膨胀和高利率冲击，经济下行压力加深，IT产品需求锐减，进而严重挫伤芯片业务。三星电子上月31日披露初步核实数据，去年全年营业利润为43.3766万亿韩元，同比下滑15.99%。单看第四季度，三星电子营业利润为4.3061万亿韩元，同比下滑68.95%，较市场预期（5.2913万亿韩元）低18.6%。其中，芯片（DS）部门第四季度销售额为20.07万亿韩元，营业利润2700亿韩元，利润锐减96.9% 。其中，存储器和系统LSI（大规模集成电路）业绩下滑，代工有所提升。
行业分析认为，在此背景下，三星电子将继续着眼技术开发。事实上，三星电子会长李在镕去年8月获特赦后随即访问公司位于京畿道器兴和华城的芯片厂盘点业务。李在镕当时表示，器兴芯片厂破土动工已过40年，在此再次开始新的挑战。李在镕强调没有对研发的大胆投资就不会有如今的三星芯片，呼吁员工秉承“重视技术、先行投资”的传统，以前所未有的全新技术创造未来。
据悉，三星电子计划通过扩大投资，在存储芯片领域的拉开与竞争对手的差距，为代工、大规模集成电路领域增长注入活力。明年推出3纳米芯片第二代，以进一步追击台积电。三星电子DS部门负责人庆桂显上月1日曾表示，将继续增加研发投入为未来增长做准备，暂时没有减少设备投资计划，将进行创造性革新，摆脱过往模式。
三星电子会长李在镕【图片提供 韩联社】
