GAA工艺与现有的FinFET工艺相比，可减少芯片面积和消耗的电力，更加准确地控制电流。目前FinFET工艺仅能接触到晶体管的三面，GAA工艺对半导体晶体管结构进行改进，使栅极可接触到晶体管的四面。美国总统拜登上月来韩到访三星电子平泽工厂时，三星曾向其展示基于GAA技术的3纳米芯片制程技术，引起业界的高度关注。
三星电子一直计划抢在台积电之前，于今年上半年实现3纳米工艺量产。今年初，台积电曾宣布将于下半年开始量产3纳米芯片。三星电子和台积电近来均在突破3纳米工艺方面遇到较大障碍，能否解决芯片良品率（合格芯片占芯片总产量的比率）问题是实现3纳米芯片量产的关键。今年初，三星电子因良品率较低的问题接连失去了几家超级大客户。业界预测，三星电子开始量产3纳米芯片后，在与台积电的技术大战中将先下一城，在晶圆代工市场中的地位将得到加强，在技术能力上也将得到更多客户的认可。
三星电子作为全球存储芯片的绝对霸主，在晶圆代工市场中却一直落后于龙头老大台积电，近来两家企业的差距有扩大之势。市场研究机构集邦咨询提供的数据显示，今年第一季度，三星电子晶圆代工销售规模为53.28亿美元，较去年第四季度下降3.9%。在全球十大晶圆代工厂商中，仅三星电子一家销售额出现负增长，市场占比也从18.3%缩水至16.3%。相反，同一时期台积电销售额增长11.3%至175.29亿美元，占全球代工市场的比重从52.1%扩大至53.6%。
三星电子一直试图通过率先掌握超精细芯片工艺技术来实现“弯道超车”，动摇台积电在代工市场上独占鳌头的局面。三星电子副会长李在镕近日结束欧洲之行后再三强调技术的重要性，称三星电子若想长久立足于市场，必须以技术为王。三星电子计划以量产3纳米芯片为契机，在系统芯片领域也成为全球霸主，进一步加快“系统半导体2030愿景”的实现速度。
三星电子斥资170亿美元，在美国得克萨斯州泰勒市建设的第二座半导体晶圆代工厂已经开始动工。该工厂占地超500万平方米，计划2024年下半年投产，主要用于生产5G、高性能计算机（HPC）和人工智能等领域的尖端系统半导体。
业界相关人士称，三星量产基于GAA工艺的3纳米芯片后，若能保持稳定的良品率，晶圆代工市场的版图或将重新改写。
上月20日，美国总统拜登到访三星电子平泽工厂，与韩国总统尹锡悦在基于GAA技术的3纳米芯片样品上签名。【图片提供 韩联社】
