势要赶超台积电 三星宣告明年上半年量产3纳米芯片

三星电子与台积电（TSMC）围绕3纳米制程的竞争日趋白热化，三星电子近期宣告明年上半年量产3纳米芯片，立志在台积电前抢夺先机。

三星电子在7日线上“三星代工论坛2021”中发布了上述内容。企业计划明年上半年将环绕闸极（GAA）技术用于3纳米制程、2023年用于第二代3纳米制程、2025年用于2纳米制程。根据三星电子的计划，明年上半年将赶在台积电之前实现3纳米芯片量产。据了解，三星采用GAA技术的3纳米制程效能预计较基于鳍式场效晶体管（FinFET）技术的5纳米制程提升30%，功耗减少50%，芯片面积缩减35%。三星电子同时称，预计在2025年起向2纳米制程导入更加先进的GAA技术。
  三星电子3纳米芯片客户也成为行业关注焦点。目前来看，旗下半导体设计业务部三星电子LSI、美国四大半导体设计企业之一的超威半导体（AMD）可能性较高，行业估计AMD明年末推出的新GPU或搭载三星电子3纳米芯片。三星电子代工事业部长崔时荣在当天的论坛中表示，未来将加大投资力度，提升GAA等尖端工艺及现有工艺技术，通过持续的技术创新，提供满足客户需求的各类竞争力产品。

相较之下，台积电计划明年7月量产3纳米芯片，用于英特尔中央处理器（CPU）和图形处理器（GPU）等。不同于三星电子，台积电将在3纳米制程中延续先前采用的FinFET技术，最快2纳米才导入GAA。行业认为，台积电明年量产计划顺利，且有信心更获得客户支持，也是在客户的选择之下，其维持FinFET技术。另据台积电预期，其3纳米制程效能可较5纳米提升10%至15%，功耗减少25%至30%等，3纳米量产头年，客户产品量能达到5纳米两倍以上，广泛应用于智能机与高速运算（HPC）平台。

行业认为，三星电子、台积电采用不同技术的3纳米制程竞争将在2022年实际展开。除GAA外，目前三星也开发3纳米乃至2纳米所需的第二代技术：多桥通道场效应晶体管（MBCFET）。此外，三星电子还在当天的活动中介绍新技术17纳米制程FinFET工艺，效能较28纳米FinFET提升39%，面积大幅缩减43%。