三星在平泽建尖端NAND闪存生产线 投资规模达8万亿韩元

三星电子1日表示，将在平泽投资8万亿韩元（约合人民币563.6亿元）增设最先进NAND闪存生产线。继上月21日宣布投资10万亿韩元增设超极紫外线（EUV）硅代工生产线后，三星再次官宣大动作。

三星电子上月在平泽开始兴建超净车间，并计划从明年下半年开始量产5纳米以下EUV芯片及NAND产品。去年7月，三星成功量产第六代V NAND产品。

三星电子方面表示，此次对NAND追加投资的意义是为应对随着人工智能（AI）、物联网（IoT）等第4次工业革命的到来，以及5G的普及而带来的中长期NAND需求扩大。新冠疫情扩散令“非接触（Untact）”生活方式流行，NAND等内存产品需求上升。

据悉，三星电子此次将平泽第2生产线的一个楼层利用为EUV硅代工生产线和NAND闪存生产线，另一个楼层将追加构筑内存半导体DRAM生产线。虽然三星没有公开投资金额，但半导体业界认为，上月公布的硅代工生产线和此次NAND闪存生产线的投资规模分别为9万亿至10万亿韩元、7万亿至8万亿韩元，尚未公布的DRAM生产线预计将投资15万亿韩元。

专家认为，在中国企业猛烈追击的情势下，三星为保住半导体领军地位、继续拉开距离而扩大进行投资。三星电子副会长李在镕去年4月发布在系统半导体领域投资133万亿韩元的《半导体愿景2020》后，于今年2月访问华城EUV专用V1生产线，5月访问中国西安半导体工厂，体现三星对半导体进行积极投资的战略。

三星电子副社长崔铁表示，此次投资是为了在充满不确定性的环境中，继续扩大在半导体领域的优势而进行，用最优秀的产品为国家经济及全球IT产业做出贡献。