集邦咨询预测,HBM在整个DRAM比特(bit)容量中所占比重从2023年的2%上升到今年的5%,2025年可能超过10%。在市场价值方面,HBM在全体DRAM中占比预计从2023年的8%增至今年的21%,2025年超过30%。
HBM的销售单价截至2025年或上升5%至10%。集邦咨询指出,HBM的销售单价是传统DRAM的数倍,DDR5的5倍左右,这种定价与AI芯片技术相结合,通过增加单一设备的HBM容量,大幅提高HBM在DRAM市场上的容量和市场价值占有率。
今年HBM需求增长或接近200%,明年增长预计达到两倍。集邦咨询解释称,2025年HBM的价格协商已经在今年第二季度开始,因DRAM的整体生产能力有限,供应商们提前把价格上调5%至10%,对HBM2E、HBM3、HBM3E也产生一定影响。
HBM买家对AI需求前景保持高度信心,并愿意接受持续的价格上涨,而且HBM3E的硅通孔技术(TSV)投入产出比目前仅为40%至60%,因此还有改善的余地。集邦咨询分析称,并非所有主要供应商都已经通过HBM3E顾客的认证,因此买家为了确保优质稳定的供应,愿意接受更高的价格。
集邦咨询预测,未来每Gb的价格取决于DRAM供应商的信誉和供应能力,这会导致平均销售单价(ASP)失衡,最终影响盈利能力。目前,SK海力士和三星电子为了掌握HBM市场的主导地位,正在提高HBM的生产能力,以应对需求的增加。
SK海力士首席执行官(CEO)郭鲁正在2日举行的记者会上称:“HBM今年已经售罄,明年产量中的大部分也已售罄。”据悉,这不仅包括最近开始供应的8层堆叠HBM3E产品,还包括计划今年第三季度开始批量生产的12层堆叠HBM3E产品。
三星电子存储芯片部门战略营销室长金在俊也在上月30日召开的第一季度业绩会议上提到:“以比特为准,今年的HBM供应规模较去年增长三倍以上,相关数量已与供应商达成协议,截至2025年的供应量目标是今年的两倍以上,目前正在与客户企业进行积极协商。”
三星电子现计划第二季度开始批量生产12层堆叠HBM3E,SK海力士也把原定在明年开始供货的12层堆叠HBM3E提前到第三季度开始批量生产。预计HBM3E产品会搭载在英伟达于下半年推出的B100和GB200等产品以及超威半导体(AMD)的MI350、MI375等下一代AI芯片上。