《华尔街日报》：SK海力士拟投资40亿美元在印第安纳州建厂

据《华尔街日报》当地时间26日援引知情人士消息报道，SK海力士计划投资40亿美元，在美国印第安纳州的西拉斐特建造一座尖端芯片封装厂，预计于2028年正式投入运转。SK海力士即将在董事会上批准这一投资计划。

消息人士透露，这座工厂将为当地创造800到1000个工作岗位，联邦及州政府将为这一项目筹集资金提供税收优惠政策等。工厂选址毗邻美国普渡大学（Purdue University），校内设有美国最大的半导体及微电子工程专业。

据悉，SK海力士此前曾考虑过台积电及英特尔工厂所在的亚利桑那州，但认为普渡大学拥有大量工程师及专业技术人才，最终选址印第安纳州。

芯片封装是芯片生产的最后一步，将晶圆形态的半导体剪切后与引线框架连接，完成可以搭载于电子终端设备上的形态。

本月1日，英国《金融时报》报道称，SK海力士计划在印第安纳州建立一家芯片封装工厂，预计该工厂将为美国英伟达的图形处理单元驱动（GPU）的人工智能加速器生产高宽带内存（HBM）芯片。SK海力士首席执行官郭鲁正对此回应称，工厂最终选址仍在慎重研究中，尚未做出决定，将与今年内完成选址工作。

目前，在第4代HBM芯片HBM3市场中，SK海力士市场份额高达90%。本月18日，SK海力士宣布将从本月底开始向英伟达供货第5代HBM芯片HBM3E。HBM3E最高数据处理速度可达每秒1.18TB（太字节），相当于在1秒内处理超过230部全高清（Full-HD）电影。

郭鲁正日前表示，预计用于人工智能（AI）芯片组的HBM芯片在集团DRAM芯片销售中所占比重将从去年的个位数上升至今年的两位数。高盛预计，SK海力士在今后两到三年的市场份额将保持在50%以上。